Prije nekoliko dana austrijska Optoelectronics Technology (Hangzhou) Co., Ltd. je objavila 2-inčni (Φ50,8 mm) visokokvalitetni aluminijski nitrid jednostruki kristalni supstrat, te je započela proizvodnju male mase.
UTI-AlN-050B serija 2-inča visokokvalitetnih AlN jednostrukih kristalnih supstrata, i drugih veličina AlN jednostrukih kristalnih supstrata
Javlja se da je aluminijski nitrid (AlN) nova generacija poluprovodničko visokoprovodničko materijala, sa velikom zabranjenom širinom benda (do 6,2 eV), visokom toplinskom provodnošću, visokom slomnom jakošću polja, visokom toplinskom stabilnosti i dobrom dubokom ultraljubičastom transparentnošću. Izvrsne prednosti performansi kao što su prenagljenost, ali zbog velike poteškoće AlN rasta jednog kristala i suštinih uslova, njegova priprema je mnogo težava od SIC-a, GaN-a itd.
Iako su mali aln jednostruki kristali naširoko korišteni u razvoju uređaja, ograničena veličina i izlazni kaciga ne mogu odgovarati potrebama proizvodnje velikih proizvodnih linija u srodnim poljima. Ovo je oduvijek bilo glavno uzdržavanje u velikoj primjeni AlN jednostrukih kristalnih supstrata. Jedno od uske grla.
Ovaj put, 2-incni aluminijum nitrid jednostruki kristalni supstrat dolazi prema rasporedu. Očekuje se da će ultraljubičasti LED-ovi velike snage, ultraljubičasti LED-ovi, ultraljubičasti detektori, ultraljubičasto upozorenje i visoke snage, visoke frekvencije, visokotemeraturni elektronski uređaji i druga polja ući u čipove velike snage. Najbolji materijali i rješenja za supstrate.
