Guangmai Technology je profesionalna u izradi 1W 3W žutog 3535 SMD LED čipa 585nm 590nm 595nm.
Poluvodička žuta LED tehnologija napravila je veliki napredak
Nakon 57 godina razvoja, LED diode vidljivog svjetla postigle su punu boju, pružajući ljudima šarene vizuelne blagdane i visoko efikasne izvore svjetlosti koji štede energiju. Međutim, dugo vremena razvoj šarene LED svjetlosne efikasnosti (energetske efikasnosti svjetlosti) je vrlo neuravnotežen. Među njima, svjetlosna efikasnost žute LED diode znatno je niža od one drugih boja. Kao rezultat toga, žuto svjetlo sa visokom svjetlosnom efikasnošću mora se dobiti konverzijom fosfora u valnu duljinu. Ovaj&"električno-optičko-optički &"; Rešenje tehnologije konverzije trenutno je vodeća tehnologija LED rasvete. Međutim, fosfor ima inherentne nedostatke u procesu pretvorbe svjetlosti u svjetlost, kao što su veliki gubici topline, veliki pad topline i svjetla i spor odziv, koji ograničavaju brzi razvoj LED dioda u smjeru visokokvalitetnog osvjetljenja i ubrzati komunikaciju vidljivim svjetlom.
Stoga, rješavanje&"jaz žutog svjetla &" postao atraktivan cilj u ovoj oblasti. Koje se podloge, materijali, struktura uređaja, struktura čipova i oprema mogu koristiti za proizvodnju visoko efikasnih žutih LED dioda? Nema odgovora u zemlji i inostranstvu već duže vreme.
U dva sistema materijala od žutog svjetla, kako se valna duljina AlGaInP mijenja iz crvenog u žuto svjetlo, pojas se mijenja iz izravnog u neizravno, a učinkovitost naglo pada. Ovo je fizičko usko grlo; dok je indijski galijev nitrid direktni pojasni jaz, koji je najveći. Teškoća je u uzgoju visokokvalitetnog materijala kvantne bušotine indijskog galija s visokim sadržajem indija, što predstavlja tehničko usko grlo. Sastav indija u žutom LED kvantnom bunaru je oko 30%, što očito premašuje indijski sastav plavog kvantnog bunara oko 15%. Mnogo je poteškoća u rastu dušija indijskog galija s visokim udjelom indija: niska temperatura rasta uzrokuje pucanje amonijaka, manje mjesta dušika, sporu migraciju atoma i hrapavu površinu, zamagljena i barijerna sučelja različite debljine, neravnomjeran sastav indija i ozbiljnu segregaciju indija fazno razdvajanje, jaka polarizacija InGaN/GaN donosi manje preklapanja valnih funkcija nosioca itd.
Nedavno je istraživačka grupa Jiang Fengyi sa Univerziteta Nanchang objavila članak u Photonics Research: Efikasne žute diode koje emituju InGaN, emitirajući napredak u dizajnu i tehnologiji proizvodnje žutih svjetlosnih LED materijala. Na osnovu originalnih plavih LED materijala na bazi GaN/Si, strukture uređaja i strukture čipova, oni su dizajnirali nove strukture materijala, novu opremu za rast i nove procese. Pretvorili su tri velike neusklađenosti (velika neusklađenost koeficijenta toplinskog širenja, velika neusklađenost širine pojasa i velika neusklađenost konstantne rešetke) u tri glavne prednosti.
Istraživačka grupa je izumila metodu i tehnologiju rasta materijala zasnovanu na mreži. Na podlozi se izrađuje redovna rešetka koja zamjenjuje nepravilne pukotine, čime se uklanja učinak akumulacije naprezanja GaN/Si i rješava problem pukotina uzrokovanih materijalom. Problem nemogućnosti proizvodnje svjetlećih čipova također ima prednost u rastućim materijalima indijskog galijevog nitrida visokih performansi s visokim sadržajem indija zbog održavanja GaN-a pod vlačnim naprezanjem.
Istraživači su izumili strukturu LED čipova na bazi silicija s visokom efikasnošću ekstrakcije svjetla prilagođavanjem smjera struje, položaja emitiranja svjetlosti i putanje emitiranja svjetla, koji ne samo da rješava problem apsorpcije svjetlosti podloge i svjetlosti elektroda, već i prednosti jednostrane emisije svjetlosti i visokog kvaliteta snopa. Razvijeni novi integrirani prijelazni sloj ne samo da rješava problem velike gustoće dislokacije, već i racionalno koristi dislokacije za formiranje strukture uređaja s velikim V rupama, poboljšava put transporta rupe i poboljšava učinkovitost LED dioda.
Na temelju pretvaranja tri velike neusklađenosti u tri glavne prednosti, prilagodili su transportni put i mehanizam taloženja reakcijskog plina, izumili reakcijsku komoru sa gustom koaksijalnom strukturom i razvili visoku komponentu indija koja je pogodnija za ugradnju indija. Oprema za rast materijala indijumovog galij -nitrida povećava temperaturu rasta materijala, smanjuje memorijski učinak i čini kvantnu bušotinu i sučelje barijere strmim; pogonjeno gustinom struje 20A/cm2 i 3 A/cm2, žuto LED svjetlo na bazi silicija na 565 nm Efikasnost je povećana na 24,3% i 33,7%, što odgovara 149 lm/W, odnosno 192 lm/W, na taj način efikasno ublažavanje žutog jaza i rješavanje problema nedostatka visoko efikasnog žutog svjetla u LED diodama u svijetu.
Struktura materijala je struktura sa višestrukim kvantnim bunarima od silikonske podloge indijumovog galij nitrida s trodimenzionalnim PN spojem s velikim V rupama, a čip je jednostrana struktura koja emitira svjetlost i ima tanki film.
Žuta i žuto/narančasta boja smd LED svjetlosni efekt
Električne specifikacije:
Veličina pakovanja:
Aplikacija
O Guangmaiju
Shenzhen Guangmai Technology Co., Ltd. je preduzeće za elektroničku tehnologiju koje integrira R& D, proizvodnju, prodaju i servis. Od svog osnivanja, kompanija se pridržavala poslovne filozofije&"integritet, fokus i inovacija [GG", specijalizovana za UV LED, duboku ultraljubičastu LED, 265-405nm: 2835 ljubičastu, 3535 ljubičastu 1414 ljubičastu UV modul, 6868 ljubičasta, 7070 ljubičasta, 5050 ljubičasta, 3838 ljubičasta svjetlost 1212 ljubičasta svjetlost i COB integrirana LED ljubičasta svjetlost, imitirajući lumen snažne LED ljubičaste svjetlosti, istraživanje i razvoj i proizvodnja posebnih izvora UV svjetla. Nakon neprestanih napora, stvrdnjavanje UV LED ultraljubičastim zračenjem, pulsiranje ultraljubičastog svjetla, UV LED inkjet štampač, biomedicina, policijski izvor svjetlosti za otkrivanje i analizu, lampa za rast biljaka, naučnoistraživački višepojasni izvor svjetla, ultraljubičasta sterilizacija, medicinsko liječenje LED fotonima, ultraljubičasto prečišćavanje vode, prerada povrća, prerada vazduha itd. kao glavna linija proizvoda. Naš cilj je: preživjeti kvalitetom, tražiti saradnju s integritetom.
Tehnički list:
Za više detalja, slobodno kontaktirajte Guangmai Tech direktno.
Tehnički list za 1W 3W žuto 3535 SMD LED čip 585nm 590nm 595nm možete preuzeti s glave ove stranice.
Popularni tagovi: 1w 3w žuto 3535 smd led čip 585nm 590nm 595nm, Kina, proizvođači, dobavljači, tvornica, cijena, jeftino, citat, tehnički list, specifikacije, specifikacije
